Инструменты пользователя

Инструменты сайта


doc:doclist:eeprom_flash

Различия

Здесь показаны различия между двумя версиями данной страницы.

Ссылка на это сравнение

Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия
doc:doclist:eeprom_flash [2017/10/23 12:01]
katya
doc:doclist:eeprom_flash [2017/10/23 12:05] (текущий)
katya
Строка 12: Строка 12:
 NOR память наиболее близко соответствует изначальной памяти EEPROM, с той лишь разницей,​ что записывается она все-же страницами. Такая память дороже чем NAND, и ее объемы в кристаллах как правило ограничены. Но она позволяет обращаться к произвольным ячейкам памяти при выполнении кода программ. Это необходимо,​ например,​ для прыжков на функции и для реализации прочих переходов,​ там где требуется не последовательное чтение памяти. В микроконтроллерах //"​Миландр"//​ используется данный тип памяти,​ поэтому там где в описании используются сочетания - EEPROM Flash подразумевается память NOR типа. NOR память наиболее близко соответствует изначальной памяти EEPROM, с той лишь разницей,​ что записывается она все-же страницами. Такая память дороже чем NAND, и ее объемы в кристаллах как правило ограничены. Но она позволяет обращаться к произвольным ячейкам памяти при выполнении кода программ. Это необходимо,​ например,​ для прыжков на функции и для реализации прочих переходов,​ там где требуется не последовательное чтение памяти. В микроконтроллерах //"​Миландр"//​ используется данный тип памяти,​ поэтому там где в описании используются сочетания - EEPROM Flash подразумевается память NOR типа.
  
-* [[DOC:​MK:​NAND_1986VE9x|NAND Flash в 1986ВЕ9х]]+  ​* [[DOC:​MK:​NAND_1986VE9x|NAND Flash в 1986ВЕ9х]]
  
  
doc/doclist/eeprom_flash.txt · Последние изменения: 2017/10/23 12:05 — katya